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| 磁控濺射鍍膜技術(shù)優(yōu)勢(shì)分析？ |
| 發(fā)布時(shí)間：2014-09-19 瀏覽： 次 |
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據(jù)調(diào)查顯示，對(duì)于沉積速率，真空鍍膜機(jī)技術(shù)中的磁控濺射鍍膜運(yùn)用效果很好。 有項(xiàng)研究就是對(duì)平衡磁控濺射鍍膜和非平衡磁控濺射鍍膜進(jìn)行各種對(duì)比。 在這兩者之前，對(duì)其成膜的沉積速率的不同作出了實(shí)驗(yàn)研究。 在實(shí)驗(yàn)中，通過(guò)在平衡磁控濺射的基礎(chǔ)上增加附加的線(xiàn)圈來(lái)控制磁場(chǎng)的變化，形成非平衡磁控濺射條件，這種附加線(xiàn)圈可以改變磁場(chǎng)電流，調(diào)整在整個(gè)靶材表面所存 在的磁場(chǎng)狀況，從而使其產(chǎn)生的離子密度更高。 在研究數(shù)據(jù)中顯示，當(dāng)離子密度提高，成膜的沉積速率也相應(yīng)提高，通過(guò)這種調(diào)整電流的方式，可以提高磁控濺射鍍膜時(shí)的沉積速率。 把靶材與基底之間的距離改變，當(dāng)距離越大，沉積速率就越低，相反就越高，所以要設(shè)定好靶材與基底的距離。 距離大了，離子隨著磁場(chǎng)所產(chǎn)生的電流沉積到基底上的時(shí)間就長(zhǎng)了，在此時(shí)間內(nèi)受到真空鍍膜設(shè)備中的氣體散射的影響就多了，離子密度相對(duì)降低，距離短就受影響少，離子密度就高，但不是越短越好的，太短距離就相對(duì)減少成膜的面積，所以這個(gè)距離需要拿捏好，可以提高磁控濺射鍍膜時(shí)的沉積速率。 通過(guò)以上分析，磁控濺射鍍膜機(jī)的技術(shù)還是十分有效的。 推薦閱讀 |
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